Un problema que ha persistido durante mucho tiempo en el mundo de la informática es que la DRAM es la memoria más rápida disponible, pero también volátil, por lo que no puede retener sus datos cuando se corta la corriente. Esto la convierte en inútil para el almacenamiento de datos. Por otro lado, tenemos la NAND flash, que es no volátil, por lo que puede retener datos sin necesidad de alimentación constante. Pero está muy lejos de ser tan rápida como la DRAM, por lo que ambos tipos son necesarios en los sistemas actuales.

La solución de los científicos coreanos: memoria de cambio de fase

Un equipo de investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST) ha revelado su trabajo en una nueva solución de memoria que utiliza la memoria de cambio de fase (PCM). La PCM ha sido utilizada en el pasado, pero el consumo de energía y los costos de fabricación eran puntos críticos, como señala TechRadar. Sin embargo, esta nueva versión ha resuelto esos problemas al concentrar el cambio de fase en una pequeña área. Intentos anteriores implicaron el uso de técnicas de litografía avanzadas e intentar reducir el tamaño de los dispositivos mismos, lo que aún resultaba en un alto consumo de energía y costos de fabricación exorbitantes.

El avance tecnológico: menor consumo de energía y costos de fabricación razonables

El nuevo método desarrollado en Corea ha creado un dispositivo con hasta 15 veces menor consumo de energía que intentos anteriores de memoria de cambio de fase. Al mismo tiempo, sus costos de fabricación son razonables, por lo que ha logrado resolver los dos mayores problemas con la memoria de cambio de fase, haciendo un verdadero avance en la búsqueda de la primera DRAM no volátil del mundo. Un investigador dice que el avance del equipo allanará el camino para la memoria apilada en 3D y sistemas informáticos neuromórficos.

¿Qué hay de Intel y su memoria Optane?

Aunque la memoria de cambio de fase no es algo nuevo, debido a varios factores como los mencionados anteriormente, aún no ha recibido una adopción generalizada como la DRAM y la NAND flash. La memoria Optane 3D X-Point de Intel también fue una solución de cambio de fase diseñada para ofrecer almacenamiento similar a la DRAM. Fue el producto comercialmente disponible más reciente que era una combinación de latencia de DRAM y memoria no volátil. Sin embargo, el proyecto nunca funcionó para Intel y su socio Micron, con Intel retirando los discos para consumidores en 2021 y cancelando el proyecto por completo en 2022 debido a la falta de demanda.

Reflexiones adicionales

A pesar de este avance, nos quedaremos con la respiración contenida para ver si alguna vez se convierte en realidad. Las empresas han estado hablando sobre la memoria de cambio de fase como reemplazo de la DRAM durante más de una década ahora, y siempre está «a solo unos pocos años de distancia».